紅外光譜法在硅中氧碳含量測(cè)定上的應(yīng)用
天津港東科技股份有限公司 應(yīng)用分析部
摘要： 單晶硅材料可以用于制造太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件等，由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì)，直接影響了單晶硅的性能。因而需對(duì)單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。
依據(jù)G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對(duì)單晶硅中代位碳和間隙氧進(jìn)行定性的同時(shí)進(jìn)行定量測(cè)定,具有快速、方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵詞：紅外光譜法 單晶硅 碳氧含量 定量測(cè)定
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· 原理
利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數(shù)607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據(jù)吸收峰的吸收系數(shù)來(lái)確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。
· 實(shí)驗(yàn)條件
儀器及附件：
FTIR-650 傅里葉變換紅外光譜儀；
氧碳測(cè)試附件 硅中氧碳測(cè)試支架；
測(cè)試條件：
分辨率： 2cm-1
掃描次數(shù)： 64次
檢測(cè)器： DTGS
其他：
千分尺:精確至0.01mm
氫氟酸（HF）：分析純（A.R）
· 樣品的制備
按GB/T 1558-2009和GB/T 1557-2006要求選取合適的參比硅片和樣品硅片，分別用氫氟酸（HF）去除表面的氧化物，測(cè)定其厚度后，待測(cè)。
· 樣品測(cè)試
1、采用FTIR-650硅中氧碳含量測(cè)試軟件依次進(jìn)行如下操作：背景掃描→輸入?yún)⒈群穸取鷴呙鑵⒈葮悠贰斎霕悠泛穸取鷴?span microsoft="" line-height:="" style="color: rgb(38, 38, 38);">描樣品→記錄數(shù)據(jù)；